高亮度高通量蓝光LED的封装技术

来源 :第四届全国光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiezuoyaoxiezuoyao

【摘要】

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将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片,对其进行特殊的封装.封装成的LED在工作电流为350mA,可视角高达125°时,轴向亮度能达到21万cd/m,输出积分功率能达到1.51

【作者】

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殷宗友张源涛杨小天李万程杨树人杜国同

【机构】

：

长春工业大学,材料科学与工程学院(长春);吉林大学,电子科学与工程学院(长春)吉林大学,电子科学与工程学院(长春)

【出处】

：

第四届全国光学学术会议

【发表日期】

：

2002年8期

【关键词】

：

大芯片特殊封装可视角高亮度高通量 LED材料

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将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片,对其进行特殊的封装.封装成的LED在工作电流为350mA,可视角高达125°时,轴向亮度能达到21万cd/m<2>,输出积分功率能达到1.51m,这样的亮度高通量LED在大屏幕显示和交通等领域有着极好的应用前景,同时用作白光LED的蓝光源也是十分理想的.

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