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稀氮化合物半导体具有大的能带弯曲常数，是制作1.3-1.55μm半导体激光器很有潜力的材料。近年来，人们已经对GaAsN/GaAs量子阱的光学性质进行了大量的研究。人们发现GaAsN/GaAs量子阱的光学性质随氮浓度的升高而下降。本文采用偏振差分反射谱(RDS)研究界面性质随氮浓度升高的变化。研究表明，随氮浓度升高，上界面的氮原子偏析长度增大，界面陡峭度降低,界面粗糙度增大，与其他文献报道的结果，一致。可见，RDS是对异质界面进行无损表征的十分有效方法。