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PAI+LEI形成适用于深亚微米MOS器件中S\D Extension区超浅结的工艺研究
【机 构】
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科学院微电子中心一室
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年12期
其他文献
对采用银浆和130、250度高低温锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED结温、热阻和光表进行了对比研究。研究结果表明：与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比，采用锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED的结温下降了10℃以上，热阻也相应下降了十几K/W；两种键合材料的1W白光LED初始光通量基本没有差别，在光衰试验中，初期均存在光通量提高现象。在环境温度5 8℃时，工作1400小时之后，光通量才开始小于
本文介绍了香港应用科枝研究院显示系统组在超薄型大尺寸LED背光源的设计和开发工作。超薄型电视模组已经成为目前业界的一大趋势，而其中的主要决定因素是背光源模组的厚度。本文介绍的几种设计方案，是针对不同的应用需求而设计，同时也都考虑到成本结构的合理性和量产化的可能性，力求达到高性能和低成本的结合。
本文总结了近年我国LED显示产业发展总体情况，对LED显示屏产业和市场发展进行了分析，对L印显示产业的未来发展趋势进行了展望。
研究了荧光粉温度猝灭及柱径特性对白光LED光衰的影响。研究结果表明：在具有相同发射波长及初始光效的情况下，猝灭温度高的荧光粉可在一定程度上降低光衰幅度；细枉径且窄分布的高光效荧光粉有利于获得良好抗光表特性，当荧光粉粒径d75/d25从5.0减小到2.0以下后，老化1000h时，窄分布荧光粉的光衰仅为2.5％左右，明显低于宽分布荧光粉约10％的光衰。
本文介绍了国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心的光电性能检测室、安规与环境检测室、电磁兼容检测室和材料性能检测室等四个实验室的建设方案，着重论述了光电性能检测室各套主要仪器设备系统的功能、组成、技术指标、基本的检测原理和方法等，并指出了建立该中心的重要意义。
用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。
该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超高真空化学气相淀积低温外延获得了硅单晶外延层。对该外延层作了ＸＲＤ，ＳＥＭ和扩展电阻等测量，结果表明获得的Ｐ型外延硅单晶性好，和多孔硅的界面良好，硅处延层的电阻率在１３５Ω．ＣＭ左右。
分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层间绝缘电压大于２５０Ｖ。