低温外延相关论文
GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,其因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射......
该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超......
在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用"ECR-PECVD"可控活化低温外延技术,以SiH4+H2......
光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs......
采用分子动力学方法和混合的紧束缚势模拟了Cu在Cu(100)表面外延生长过程的初始阶段.重点研究低温条件下外延表面原子的瞬时扩散机......
通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温......
本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,在低温下(525℃)进行多晶硅薄膜的外延生长,研究了氢在多晶硅薄膜低温外延中的作用.制备的......
对制备成本低、转换效率高的薄膜太阳能电池来说，把多晶硅薄膜上生长在玻璃上是一种很好的途径。在非硅衬底上采用直接沉积法形成的......
本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材......
该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超......
该文从热力学角度对ＬＰＥ中同时存在的Ｓｉ氧休与ＳｉＯ〈，２〉腐蚀的动态平衡过程进行了分析，探讨低温液相外延过程中防止硅氧化的技术条件，尝试采用Ａｕ／６０ｗｔ℅......
晶硅薄膜太阳能电池具有实现低成本-高效的潜力。高质量晶硅薄膜材料的制备以及适合超薄晶硅陷光结构的制备是提高器件效率的两个......
研究了VLP/CVD低温硅外延生长技术.利用自制的VLP/CVD设备,在低温条件下,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料.扩展电阻、......
给出了用电子回旋共振微波等离了体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温、极低气压下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以......
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明：在衬底温度200℃......
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统，本底真空达１０＾－７Ｐａ。该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度......
采用分子动力学方法和混合的紧束缚势模拟了Ｃｕ在Ｃｕ（１００）表面外延生长过程的初始阶段段。重点研究低温上外延表面原子的瞬时扩散机制，对瞬时扩......
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室，扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持，本底......
本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”（RRH/VLP-CVD）生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻......
介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy, IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法. 以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为......
采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,......
