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ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制备Zns,并采用正电子湮没技术研究了沉积温度对CVD-ZnS缺陷的影响.
沉积温度对CVD-ZnS性能影响的正电子湮没研究
【摘 要】
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ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制备Zns,并采用正电子湮没技术研究了沉积温度
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所,核分析技术重点实验室(北京)
【出 处】
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第八届全国正电子谱学会议
【发表日期】
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2002年期
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