慢正电子束相关论文
正电子湮没技术是一门将核物理、核技术应用于固体物理、材料科学、化学、生命科学等学科领域的技术。它以正电子作为探针,通过探......
作为反物质世界的一颗璀璨明珠,正电子（电子的反粒子）,因其对电子异常灵敏的特性而被用于研究材料的微观结构。在Anderson发现正电子......
反应堆压力容器(RPV)钢是核电站一回路冷却剂边界处不可替换的关键部件,其在高温高压高辐照条件下的使用寿命决定了整个核电站......
GaAs作为近年来应用于光电器件及探测器等领域的重要材料，它的光学电学等物理特性在很大程度上受到其晶体结构及缺陷的影响。有......
室温下,采用能量为2MeV的Xe离子对熔盐堆用燃料基体石墨进行了辐照试验。采用拉曼光谱和慢正电子束研究了辐照对基体石墨微观......
慢正电子束研究了氢/氦辐照后低活化铁素/马氏体钢中缺陷及缺陷-氦/氢复合体的形成、演变过程。本文在450℃辐照温度下进行了......
氧化锌( ZnO)半导体由于其广泛的用途受到越来越多的关注。然而,至今ZnO一些基本的性质还没有研究清楚,例如,n型导电以及p型Zn......
用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２ 薄膜，用慢正电子束分析该薄膜，发现它的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。
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本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能......
利用慢正电子束流技术研究了电子束蒸发方法制备的铝镜在模拟空间辐照条件下的反射性能与辐照缺陷的关系.通过比较不同辐照剂量和......
本文用慢正电子束技术研究Cu/SiC结构的结果.用多普勒展宽能谱线形S参数测量,从10K-300K改变样品的湿度测量不同温度的S-E曲线,发......
慢正电子束流技术通过测量不同深度正电子湮没的γ光子的能谱或寿命,可以得到不同深度的微结构的特征及分布,是测量固体中缺陷类型......
该文简要介绍了基于BEPC LINAC（北京正负电子对撞机电子直线加速器）慢正电子束设备中正电子源部分的Monte-Carlo模拟过程。结果表明，......
用慢正电子多普勒展宽谱技术研究环氧丙烯酸脂（ＥＡ）体系电子束固化（ＥＢＣ）涂层，由实验测量Ｓ－Ｅ曲线拟合给出的Ｓ参数和有效扩散长度Ｌ〈，ｅｆｆ〉，分析了稀释剂分......
本文使用正电子湮没技术,对WOx气敏材料和ZnO/Metal/ZnO金属介质多层膜做了系统地研究,分析了样品的实验数据,并得到一些有意义的......
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,衬底加热 30 0℃ ,纯Ar气氛下制备的用Y2 O3 稳定的ZrO2 薄膜材料 (简称YSZ薄膜 ) ,发现......
在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产......
慢正电子束技术是近十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段 .文章介绍了其在薄膜、界面和近表面测量的基本方法和部分应......
用慢正电子束 (SPEB)对自制ZrO2 薄膜进行了成分分析 .结果发现 ,ZrO2 薄膜表层存在一个厚约2 0nm的高正电子吸收层 ,该表层的特殊......
采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016 cm-2的样......
针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场......
本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射（XRD）以及慢正电子束分析（SPBA）手段研究了不同退火温度下氦在钨体......
Two types of porous metal moderators (i.e. porous nickel layer and multi-wire tungsten layer) are proposed and tested on......
The corrosion of AA2037 aluminum alloy in alkaline aqueous solution studied using slow positron beam
Corrosion behavior of AA2037 T8 Al alloy in a1 M Na OH aqueous solution was investigated using slow positron beam, toget......
用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系......
用成像板对常用正电子源＾３２Ｎａ进行了一系列感光实验。结果显示，激发辐射的光子强度值ｆ（ｐ）与成像板记记载的正电子流强ｆ（ｅ＾＋）成正比关系。在北京慢正......
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷......
用蒸发／冷凝方法制备Cu/LiF团簇基多层膜，用广延X射线吸收精细结构（EXAFS）和慢正电子束进行研究。与相应的本材料相比，虽然未发现Cu-Cu......
采用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２的混合气体在单晶Ｓｉ衬底上用射频－直流等离子化学气相沉积法制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜，用Ｆｏｕｒｉｅｒ红外谱研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金......
综述了慢正电子技术的发展以及从放射源β衰变发射出的慢正电子的慢化原理，概述了利用慢正电子技术研究固体薄膜表面和界面的基本原......
正电子湮没技术是一种研究材料的微观缺陷和相变的灵敏工具，在通常的正电子谱仪中，正电子能量为MeV量级，在样品中注入深度比较深(～100......
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S......
用慢正电子束多普勒展宽谱研究环氧丙烯酸酯体系电子束固化涂层。Ｓ－Ｅ曲线给出了稀释剂分子结构及其相对含量，辐射剂量，预聚物和交联剂含......
采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数......
采用脉冲激光沉积方法在（LaAlO3）0．3（Sr2AlTaO6）0．7衬底上外延生长了La0.7Sr0．3MnO3薄膜，并采用慢正电子束方法分析了薄膜在不同厚度和不同......
用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２薄膜，用恒正电子束分析该谱膜，发现它的的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。......
采用慢正电子束流多普勒展宽测量技术对经过He+辐照的FeCrNi合金与316不锈钢微观结构进行研究,实验发现He离子辐照在样品内部产生......
建立了慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模型，研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响，得到......
用脉冲激光沉积方法在Al2O3（0001）衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO......
慢正电子束技术十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段，文章介绍了其在薄膜、界面和近表面测量的基本方法和部分应用结果......
本文介绍了慢正电子束技术和最新发展，慢正电子束作为探针的基本特性，以及在多种学科中的应用等。......
用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,......
惯性约束聚变(ICF)目前看来实现可控热核反应最有希望途径之一，在能源、国防领域都具有重要的意义。ICF只会发生在一个极短时间和极......
