【摘 要】
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采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体合物MnCdInTe晶体.采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱.发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比,结果出现三种相:α相、β相和β1相,其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的,随温度降低,从α相中又折出β相.当晶体生长到稳定段,完全形成
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安)
【出 处】
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第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会
论文部分内容阅读
采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体合物Mn<,0.1>Cd<,0.9>In<,2>Te<,4>晶体.采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱.发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比,结果出现三种相:α相、β相和β1相,其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的,随温度降低,从α相中又折出β相.当晶体生长到稳定段,完全形成β相.Mn<,0.1>Cd<,0.9>In<,2>Te<,4>在10000～2500cm<-1>的近红外波数范围内,其透过率最高达83℅,在3000～500cm<-1>的中红外波数范围内透过率为59～65℅.
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