【摘 要】
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本文介绍了通过MOCVD外延生长方法在半绝缘GaAs衬底上制备的GaAs激光光伏电池.通过干法刻蚀进行隔离,制成由六瓣单元组成的圆形电池结构,并通过引线将6个电池单元串联使
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室 江苏 苏州 215123
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本文介绍了通过MOCVD外延生长方法在半绝缘GaAs衬底上制备的GaAs激光光伏电池.通过干法刻蚀进行隔离,制成由六瓣单元组成的圆形电池结构,并通过引线将6个电池单元串联使开路电压达到约6V.所制备的GaAs激光光伏电池790到850nm表面反射率为1％,在830nm可调功率光纤激光器下进行测试,700mW入射功率下开路电压达6.7V、最高效率达39.3％,200mW到850mW的平均效率为38％,电池在不同的激光功率下表现性能稳定.
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