含烃类表面活性剂超临界二氧化碳干燥光刻胶的研究

来源 :第六届全国超临界流体技术学术及应用研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:df781111
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随着集成电路微型化和结构复杂程度的提高,微电子加工过程的干燥步骤中,结构构型由于表面张力的作用而导致的塌陷和变形已成为日益严重的问题.含有烃类表面活性剂的超临界二氧化碳可以将体系表面张力降低到1 mN/m,而且大大节省了二氧化碳的循环使用量.原位椭圆光度法测定结果表明:卸压后,由于二氧化碳溶胀导致的光刻胶尺寸变化可以恢复到原始尺寸.
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