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提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
硅微波LDMOS功率器件的研制
【摘 要】
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提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
【发表日期】
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2005年8期
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