宽禁带相关论文
功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化......
碳原子由于具有独特的sp-,sp~2-,sp~3-杂化成键能力,能够形成多种结构和性质迥异的碳材料。自然状态下,其常以石墨、金刚石、无定......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
构造了三种慢变结构的光子晶体,利用光学传输矩阵方法对它们的光子能带特性进行了研究,发现所提出的结构能够十分有效地拓宽光子晶......
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效......
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密......
美国普渡大学研究人员采用β-Ga_2O_3半导体材料制造出了场效应晶体管,这种材料将能够用于制造超高效率开关,应用于电网、军用舰船......
近日,美国桑迪亚国家实验室研究人员展示了先进半导体材料制成的晶体管和二极管,性能远优于硅材料。这项突破朝着实现更紧凑、更高......
日前,沧州市高新区与科光控股有限公司签订合作协议,双方将在高新区建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地。科光控股有限公司由加拿......
氧化镓是一种具有宽禁带的新型半导体材料,得益于其良好的物理特性(具有较大的禁带宽度,较大的击穿电场强度等)以及良好的化学稳定......
研究了几种两端有慢变周期结构的光子晶体的能带特性。研究发现 ,通过在普通光子晶体两端添加适当的慢变周期结构 ,可以使光子晶体......
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能(60meV)、......
ZnO是一种宽禁带半导体材料，通过阳离子Al^3＋掺杂可以改善其导电性，而且通过掺杂MgO进行“能带剪裁”可以实现从紫外到可见光范围内的......
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室,围绕中国半导体产业......
显然,可再生能源将是我们未来的重要组成部分,它既满足我们对电能的日益增长的需求,为电动汽车(EV)等新技术供电,也保护环境,减少......
氮化镓功率管的宽禁带、高击穿电场等特点，使其非常适合于宽带、高效率功率放大器的研制。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agile......
研究了蓝宝石衬底AlGaN／GaN HEMT器件直流和微波性能随温度的变化。研究结果表明，器件直流性能随着温度升高逐渐下降，350℃时直流性能......
氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了AgilentADS等仿真软......
随着"坚强智能电网"建设的不断深化以及"泛在电力物联网"概念的提出,硅基电力电子器件以及电力电子化装置正面临着新的挑战。以碳......
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚......
文章将多层微波数字复合基板技术和宽禁带功率放大器同时应用于收发组件的设计,突破了传统收发组件效率低的弊端,提高了能源的利用......
氮化镓器件是宽禁带电力电子器件代表之一,近年来发展迅速,除了具有高耐压、高工作温度外,还具有高工作频率、高功率和高线性度等......
简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温......
F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型......
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应......
本文介绍了基于新型GaN宽禁带半导体材料的大功率器件的特点和优势，采用微波仿真软件ADS对一款S波段的GaNMOSFET进行优化仿真设计，得......
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器......
提出了介质的光学厚度系数成圆形分布的一维光子晶体结构，与周期结构的光子晶体相比，该结构具有禁带展宽特性，同时讨论了起止膜层及膜......
介绍了SiC宽禁带功率器件的特性，与Si功率器件相比，该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方......
前言 GaN器件具有宽禁带、热导率高、电子饱和速率高、抗辐照能力强等特点,故使其射频器件被广泛地应用在基站通信和国防军工应用......
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件,是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里......
采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和......
阐述碳化硅功率器件的性能优势、应用领域及国内外发展情况,分析碳化硅衬底、外延、器件、封装等关键技术,基于碳化硅功率器件标准......
太阳能是一种低碳、环保的新能源,太阳能发电是开发利用太阳能的重要途径,成为近年和未来研究的热点,应用也越来越广。光伏逆变器......
以碳化硅（SiC）和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好......
采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO......
中国宽禁带功率半导体产业联盟日前在济南成立。据悉，南业内十余家领军企业发起的联盟成立后，将致力于通过成员之间的资源共享、人才......
宽禁带Ⅱ族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV, MgO 80 m......
对多层微波数字复合基板和宽禁带高效电路进行了研究，并设计了一种基于高效宽禁带器件和多层微波数字复合基板技术的收发组件。该收......
随着平板显示技术的发展,有机发光材料在这个领域也迅速发展,并且由于有机物具有选材范围广,原料便宜,易于修饰的结构,可实现柔性......
采用241Am—a粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能，计算了空气和肖特基Ni／Au层厚度对OL粒......
文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器......
随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体......
