【摘 要】
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宽禁带半导体ZnO由于在制备短波长蓝、紫光发光器件的重要应用前景,已引起人们的广泛关注.然而,在ZnO中高质量和可重复的p型掺杂一直没有得到很好的解决.造成这一问题可能有
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
【出 处】
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第一届全国核技术及应用研究学术研讨会
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宽禁带半导体ZnO由于在制备短波长蓝、紫光发光器件的重要应用前景,已引起人们的广泛关注.然而,在ZnO中高质量和可重复的p型掺杂一直没有得到很好的解决.造成这一问题可能有多方面的因素,其中缺陷是不可忽视的重要原因.ZnO中的受主杂质可能被缺陷自补偿,或者与缺陷结合成电中性的复合体,从而影响p型掺杂.本工作中我们通过离子注入方法在ZnO中引入N杂质,通过正电子湮没技术测量,发现了N与缺陷的强烈相互作用.本文对研究情况进行了介绍.
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