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实验上刚刚合成的g-C3N4单层具有多孔结构和质量轻等优良的储氢性能,在本文中,我们研究了Li掺杂的g-C3N4单层在室温条件下的储氢特性,运用第一性原理,我们先研究了体系的电子结构,研究发现g-C3N4单层是一个带隙为1.62eV的半导体,Li掺杂后变为N-掺杂的金属.
用于室温下储氢的Li掺杂g-C3N4单层的理论研究
【摘 要】
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实验上刚刚合成的g-C3N4单层具有多孔结构和质量轻等优良的储氢性能,在本文中,我们研究了Li掺杂的g-C3N4单层在室温条件下的储氢特性,运用第一性原理,我们先研究了体系的电子
【机 构】
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北京大学工学院,北京,100871中国矿业大学理学院,北京,100083
【出 处】
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“氢”出于蓝·2013全国博士生学术论坛
【发表日期】
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2013年9期
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