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本文报导我们团队在SOI 光波导器件的最新研究进展。我们在同时兼顾电学特性和光学特性的基础上，创新地提出矩型和Z字型的插趾电极结构，使载流子注入和光场两者的区域尽可能地重合，大大降低了载流子的飘移时间和和器件的分布电容，并减少了光损耗，因而大大地提高了调制速率和缩短了开关时间。我们同时研究了MZI(马赫-曾德干涉)型和MRR(微环谐振)型两大类SOI 光调制器和光开关，成功地研制出44 Gpbs 的高速率SOI MZI 和MRR 光调制器和百ps 量级光开关、耦合效率高达65％的微纳光耦合器、4×25Gpbs 光调制器陈列、InGaAS 光电二极管同SOI 光调制器的混合集成回路。