【摘 要】
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本文报道了一种基于多量子阱结构的两段式单片集成被动锁模半导体激光器,激射波长1038nm.并且可以得到脉冲宽度2.6ps、峰值功率211.1mW的锁模脉冲,脉冲序列重复频率均为24.27
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京100083
【出 处】
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中物院高能激光科学与技术重点实验室第三届学术交流会
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本文报道了一种基于多量子阱结构的两段式单片集成被动锁模半导体激光器,激射波长1038nm.并且可以得到脉冲宽度2.6ps、峰值功率211.1mW的锁模脉冲,脉冲序列重复频率均为24.27GHz.改变材料的掺杂浓度,可以实现晶闸管激光器特性.
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