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采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ZAO透明导电薄膜，全面研究了氧气流量、薄膜厚度、镀膜温度、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明：当氧氩比为0.5／40、膜厚在110 nm以上、镀膜温度为80-160℃、溅溅射气压在0.5 Pa左右、溅射速率为3.6nm／min时，ZAO薄膜的光电性能较好，并且得到了电阻率8.8×10-4Ω·cm，可见光透过率大于80％的柔性衬底ZAO薄膜。