I-V特性相关论文
氧化镓（Ga2O3）材料作为新兴的超宽禁带半导体材料,由于其高达4.9eV～5.3eV的带隙产生的优良特性,如超高的巴利加优值、高的击穿电压等......
本文以一座建设于沿海地区并遭受了台风灾害的地面光伏电站为例,利用电致发光(EL)检测和I-V特性测量等方式,考察了在遭受台风灾害......
基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型，从理论上分析了量子......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
采用脉冲激光沉积技术在不同的氧气氛围下制备了Ag/WOx/Pt、Ag/AgOx/Pt和Ag/AgOx/WOx/Pt异质结.分别对异质结进行了电流-电压特性......
本文主要研究了基于半导体材料硅化镁(Magnesium Silicide,Mg_2Si)异质结的制备及其光电特性。分析了沉积的Si、Mg薄膜厚度对Mg_2S......
太阳电池测试系统在评估太阳电池性能和改进太阳电池制作工艺上起着至关重要的作用,特别是多结GaAs太阳电池等效率高但结构复杂的......
无机硅材料存储器件是现代应用最广泛的存储器件,但由于无机存储器件：制备工艺复杂、生产成本高以及材料本身受到摩尔定律的限制,因......
太阳电池是航天器能源的重要组成部分，对太阳电池进行准确的标定检测可以为组装航天用太阳电池板提供数据参考。地面用太阳模拟器存......
随着SiGe技术逐渐向超薄、低维材料方向发展,对锗硅材料的生长提出了更高的要求。超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环......
本文以大规模并网光伏电站为研究背景,首先提出了基于显式化求解的光伏电池5参数模型,其利用LambertW函数将关于电流和电压的光伏......
有机电致发光器件（Organic Light Emitting Device,OLED）具有亮度强、效率高、视角宽、功耗低、驱动电压低、响应速度快、全彩色、重......
在今数字化、信息化、智能化已经广泛普及,存储器也已经非常广泛地应用于我们生产生活的各方各面,并且随着时代和技术的不断向前发......
存储器件是今天信息产业的前提。随着器件尺寸的越来越小,低于100nm,电子器件的微型化是半导体行业面临的挑战。为了克服基于电荷......
为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照......
根据承担国家科技支撑课题“太阳电池计量标准及量值溯源传递关键技术研究”课题内容建立校准装置、研制标准太阳电池样品,研究校......
用脉冲激光沉积法分别在不同电阻率的p型和n型Si( 100)衬底上制备了不掺杂ZnO薄膜,相应制成n-ZnO/p-Si和n-ZnO/n-Si异质结器件.利......
利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结.利用X射线衍射(XRD)、X射线能......
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电......
采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对该二极管的I V特性、电容保持特性、疲劳 (fatigue)特性......
讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器......
研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管，在不同湿度下，分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明，在一定电压下，无论Ｎ型衬底，还是Ｐ型衬底，其ＰＳ二极管的反向......
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究......
分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而......
通过对LED的光致发光光谱、光生电流/电压与电致发光光谱、正向电流/电压之间关联性的研究，建立起光致发光光谱参数和电致发光正向......
用扫描隧道显微镜 ( STM)测试分析了高定向石墨 ( HOPG)表面的碳纳米管 .在大气中室温下获得了碳纳米管原子结构 ,测量了碳管的 I-......
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分......
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光......
提出了一种新的测量成品太阳电池基区少子寿命的方法,这种方法在电池制备完成后进行测量.此方法还可对印刷电极后烧结这步工艺流程......
利用改造的扫描电子显微镜(SEM)设备,在SEM腔体中利用钨(W)探针测试了单颗粒金刚石的I-V与场发射特性,结果表明结晶良好的金刚石的......
针对光伏电池输入输出具有强非线性的特点，设计一种模糊滑模最大功率跟踪控制方法；在光伏系统非精确数学模型基础上，利用滑模技术设计......
基于单电子晶体管的特性,利用电流模式技术,提出一种单电子晶体管(SET)的混沌电路实现方法.全SET混沌电路的实现,更加便于用集成电......
用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.......
采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了......
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相......
利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存......
采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 ......
以p型导电高分子烷基聚噻吩（PAT-6）和n型导电高分子聚喹啉（PQ）共混液为原料通过浇注方式自组装形成组成梯度膜,即形成p-n异质膜,并对该......
对不同金属形成的M/PS/Si/Al结构样品进行测试,发现其I-V特性曲线具有相似的形状,区别仅在于高偏压下的串连电阻不同,通过进行表面......
介绍基于Delphi的太阳能电池I-V特性测试系统的工作原理、硬件设计、程序说明及测量结果,该测量系统界面友好、操作方便、自动化程......
采用TMS320F2812DSP为控制器，BUCK电路为主电路，研究与设计了一种新型光伏阵列模拟器．模拟算法利用模拟器负载电流与阵列特性电流的差......
利用射频磁控溅射法，在p—Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，并进而制备了AZO／p-Si异质结。x射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四......
多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电......
研究了单电子晶体管(Single electrontransistor,SET)Ⅰ-Ⅴ特性的一种简化分析方法,在此基础上设计了SET积分器,并阐述了该积分器......
高温超导体中的晶粒边界是这种材料强电应用的主要限制。本文对一种特殊的YBCO晶界伏安特性进行了测量,分析了涂层导体载流状态下......
