【摘 要】
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本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海
【出 处】
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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
论文部分内容阅读
本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性的影响.研究结果发现,工作气压决定薄膜生长速率,气压越高,生长速率越慢.而且低气压条件下制备的ITO 薄膜导电性优于高压条件下制备的薄膜.所得ITO 薄膜在400nm～1100nm 波段的平均透过率超过91％,基本不受工作气压的影响.光学禁带宽度(Eg)随气压增加从3.83eV 减小为3.65eV,但折射率(n)随气压增加而增大.此外,退火处理可以有效提高ITO 薄膜的光电特性.通过优化工艺条件,可以制备出迁移率高达44 cm2/V·s,电阻率低于2ⅹ10-4Ω·cm,折射率接近1.9,平均透过率高于93％的ITO 薄膜,适合用作异质结太阳能电池的前电极和减反射膜.
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