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作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺陷密度,其仍然具有较强的发光性能。
InGaN生长速率对InGaN/GaN多量子阱发光性能的影响
【摘 要】
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作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺陷密度,其仍然具有较强的发光性能。
【机 构】
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中科院半导体研究所
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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