【摘 要】
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双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、低噪声、线性度等特点,是航天器电子设备的重要组成部分,广泛地应用于空间环境.双极晶体管对电离效应
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
双极晶体管(BJT-Bipolar Junction Transistor)具有良好的电流驱动能力、低噪声、线性度等特点,是航天器电子设备的重要组成部分,广泛地应用于空间环境.双极晶体管对电离效应和位移效应均较为敏感,因此对双极晶体管辐射效应进行有效评价具有十分重要的工程实际意义.本文采用20MeV Br离子作为辐照源进行辐照试验,针对双极晶体管的位移辐射效应进行研究.在辐照试验过程中,对双极晶体管的发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响.在原位条件下测试了双极晶体管的电性能参数随20MeV Br离子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,所有管脚接地的双极晶体管的辐射损伤程度最大; 发射结正向偏置时双极晶体管的辐射损伤程度最小; 发射结反偏时双极晶体管的辐射损伤程度居于上述情况之间.
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