【摘 要】
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本文中,我们首先引入高热稳定性的NdBCO/YBCO/MgO薄膜作为籽晶.它可以承受更高的最高使用温度(Tmax),这为大尺寸的超导块材制备提供了更宽阔的生长窗口.另一方面,我们在前驱粉体中引入富钡的Sm242相,它可以有效的抑制生长过程中的Sm/Ba之间的替代,减小所得块材中Sm1+xBa2-xCu3O7-d的固溶度x,确保所得块材的高的超导转变温度(Tc).与此同时,我们还在前驱粉体中引入了S
【机 构】
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上海交通大学 物理与天文系, 上海200240
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本文中,我们首先引入高热稳定性的NdBCO/YBCO/MgO薄膜作为籽晶.它可以承受更高的最高使用温度(Tmax),这为大尺寸的超导块材制备提供了更宽阔的生长窗口.另一方面,我们在前驱粉体中引入富钡的Sm242相,它可以有效的抑制生长过程中的Sm/Ba之间的替代,减小所得块材中Sm1+xBa2-xCu3O7-d的固溶度x,确保所得块材的高的超导转变温度(Tc).与此同时,我们还在前驱粉体中引入了Sm2411相,它可以作为更有效的磁通钉扎中心,增强所得块材的临界电流密度(Jc).
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近年来,以能带绝缘体LaAlO3/SrTiO3为代表的钙钛矿结构过渡金属复杂氧化物异质结得到广泛关注.该异质界面存在高迁移率的二维电子气(2DEG),而且表现出超导和铁磁等奇异输运特性.同时,在简单极性氧化物体系ZnMgO/ZnO界面的2DEG中也观察到自旋霍尔效应、电子有效质量增强和自旋极化等新颖现象[1-4].
发光二极管(LED)作为新型高效固体光源，具有寿命长，节省环保等优点，其经济和社会意义巨大。目前整个LED市场竞争激烈，降低成本成为企业生存和发展的关键。本文从外延生长工艺的角度出发，在保证LED器件性能和可靠性不变差的前提下，对GaN生长工艺进行了调整，节省了程序时间，提高了外延产能。实验结果显示，把合并层的生长用n_ GaN的生长方式代替，同时对三维到合并的生长方式优化，保证合并的效果，能够保
长波长氮化物LED的发光效率仍然达不到和蓝光相匹配的程度,这严重影响了无荧光粉单芯片白光LED的效率提高和应用.其中,发光量子阱中的空穴注入效率是制约长波长LED发光效率的关键因素之一.如何提高长波长LED量子阱的空穴注入效率是一项艰巨和充满挑战的任务.
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