4H-SiC (0001)面原子级平整抛光技术研究

来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hellring
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  碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作SiC和其他半导体衬底。然而,由于碳化硅的硬度大、化学稳定性强,这些科研工作者制作用于外延生长的晶片时都遇到了很大的困难。一个光滑和无缺陷的衬底表面对于得到好的外延层质量来说是至关重要的。因此,为了解决这个问题,一种杂化的加工方法-化学机械抛光就应运而生。
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