【摘 要】
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用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的窗口材料,可以显著改善电池TCO/P界面和叠层电池隧道结构的接触特性,提高
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用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的<+>窗口材料,可以显著改善电池TCO/P<+>界面和叠层电池隧道结构的接触特性,提高电池的填充因子和转换效率.本文采用七室连续RF-PECVD系统,通过调节衬底温度及精确控制B<,2>H<,5>的掺杂量,制备出了电导率达到10<-1>S/cm量级,光学带隙大于2.2eV的优质P型微晶硅碳窗口(Pμc-SiC:H)材料.
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