【摘 要】
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采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到～406nm的紫外电致发光。在相同生长
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁,大连116024
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采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到～406nm的紫外电致发光。在相同生长条件下分别制备了p-GaN Ga2 O3/n-GaN/Sap phire和p-GaN/n-GaN/Sapphire发光二极管,前者表现为紫外和可见光发光,紫外发光峰在～420nm,而可见光发光在～650nm,后者紫外发光很弱,以～650ntm处的可见发光为主。基于此实验结果我们认为在双异质结发光二极管中～406nm处的发光是ZnO中的辐射复合发光,Ga2O3层成功起到了保护ZnO和作为载流子阻挡层的双重作用。
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