分子束外延设备相关论文
随着电子信息化时代的飞速发展,以氮、氧化物为代表的第三代半导体材料已经成为当今世界研究与应用的热点。分子束外延是生长氮、......
可调谐外腔半导体激光器通过引入外部光学反馈介质,利用普通的法布里-珀罗腔半导体激光器即可可以实现单模激射和激射波长可调的激......
在过去的十年中,尽管研究人员做了大量工作来制备p型ZnO,但可靠性和稳定性仍受质疑。研究影响p型稳定性的因素与机制对于实现......
本文简要介绍了用国产研究型GSMBE分子束外延设备生长高速电路用SiGe/Si异质结外延材料所取得的结果.......
本文在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解源炉对As(砷的四聚体)和As的生长特性进行了全面的研究.......
本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用......
本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式.......
该文在国产分子束外延设备的基础上，引进了一套RIBER的全固态源炉并尝试着进行了材料生长，获得了一些初步结果。利用三温区阀控裂解......
自从日本和香港的科学家在1998年首次报道室温光泵浦条件下ZnO薄膜的紫外受激发射后,ZnO基宽带隙半导体作为紫外发光器件和激光器......
本文利用实验与模拟相结合的方法，通过分子束外延(MBE)设备在衬底上生长了GaSb单层膜、周期分别为10、20的GaSb/InAs超晶格，用双晶X......
当固体材料的尺寸减小到纳米尺度(0.1nm至100nm)时会表现出区别于体材料的量子效应。因此在纳米尺度上研究物质的特性和相互作用成......
