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简述了温变气敏元件的研发机理。用不平衡电桥原理设计了测量反应温变Δtrea的装置。给出了Δtrea随气体浓度C变化的规律Δtrea=A Cn/(1+BCm)(A,B,n,m＞0,n＞m)。提出了研制温变薄膜气敏元件的工艺流程。
一类新的金属氧化物薄膜气敏元件的开发
【摘 要】
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简述了温变气敏元件的研发机理。用不平衡电桥原理设计了测量反应温变Δtrea的装置。给出了Δtrea随气体浓度C变化的规律Δtrea=A Cn/(1+BCm)(A,B,n,m＞0,n＞m)。提出了研制温变
【机 构】
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济南市半导体元件实验所 济南 250014
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2013年期
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