直流电场下无机纳米杂化PI薄膜击穿特性

来源 :第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pmlypmly
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将杜邦(HN100和CR100)薄膜两面分别淀积厚度为20nm、直径为30mm的Au电极,采用阶梯式升压方式,对样品施加直流电场,直至样品被击穿.利用扫描电镜观察样品击穿孔区域微观结构,研究薄膜击穿机理和纳米颗粒的作用.实验结果表明,在相同击穿场强情况下,普通PI薄膜击穿孔直径大于纳米杂化薄膜击穿孔,形成一个较大的变形区;纳米杂化PI薄膜只是在击穿孔附近小范围被破坏,孔边缘出现层状结构.纳米颗粒引入表面积庞大的界面相,阻止薄膜微观结构破坏,达到提高材料介电性能的目的.
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