表面构型对Ge/Se核壳纳米线的热电性能影响

来源 :第十二届全国量子化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tingren_8912
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  基于第一性原理和玻尔兹曼输运理论,本文研究了表面构型对于不同锗/硅比例的[110]-核壳纳米线的热电性质的影响.建模中考虑了三种表面结构(图1)[1-3],分别是表面对称的Si-H,表面倾斜的Si-H,以及(2×1)Si-H重构.结果表明,热电性质跟表面结构和核(Ge)/壳(Si)比例关系密切.电荷密度分析表明,价带顶的电荷密度主要集中于核心的Ge原子,而导带主要来自与壳层的Si原子,核壳超晶格结构达到了很好的能带调制作用.并且,随着锗硅比例的增加,热电性能不断提高.再者,表面倾斜的Si-H纳米线的稳定性优于表面对称的Si-H,表面重构的纳米线的稳定性与氢含量相关.然而表面对称的纳米线的热电性能最好,倾斜者次之,重构者最差.在三组结构中,所有的n型性质普遍优于p型.特别是在300K时,n型的Ge/Si核壳纳米线的ZT可以达到0.65(图2),是体相材料的65倍左右[4].相关细节详见:J.Mater.Chem.A,2014,2,2538.
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