【摘 要】
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近年来,三元化合物半导体碲锰镉(Cd1-xMnxTe,简称为CdMnTe)以其优良的光电特性成为室温核辐射探测器材料主要候选材料之一.与目前研究最为普遍的室温探测器材料Cd1-xZnxT
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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近年来,三元化合物半导体碲锰镉(Cd1-xMnxTe,简称为CdMnTe)以其优良的光电特性成为室温核辐射探测器材料主要候选材料之一.与目前研究最为普遍的室温探测器材料Cd1-xZnxTe(CdZnTe)晶体相比,CdMnTe具有以下优点：(l)禁带宽度大,CdMnTe晶体的禁带宽度在1.73-2.12 eV之间,而CdZnTe晶体大概在l.55 eV左右；(2)Mn在CdTe中的分凝系数接近1,更容易得到成分均匀的晶体.
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