浮区法相关论文
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
本文使用目前国际最先进的4椭球反射腔式红外聚焦单晶炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）,通过光浮区法对稀土过渡族氧化物LaCoO3体系进行了晶体......
生长晶体在发展高新技术和基础理论研究方面都有非常重要的意义,在国民经济可持续发展和国防建设中具有广泛而重要的应用。本文选......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
报道了激光二极管抽运下的高效率Yb:YGG连续及锁模激光器。实验中采用光学浮区法生长的高质量Yb:YGG激光晶体,在6.7 W的入射抽运功......
InxGa1-xSb三元合金半导体晶体作为一种新型的半导体材料,具有晶格常数和吸收波长可调节的特性,其晶格常数和吸收波长可以分别在6.......
学位
在现有的工程实践中,通常采用浮区法晶体生长技术制备高质量晶体,用于模拟浮区法晶体生长过程的科学模型称为液桥,周围气体的流动......
(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2不仅具有高介电常数和低介电损耗,而且温度稳定性良好,因此被视为一种有望替代传统介电材料的新型巨介电......
通过数值计算表明了在空间浮区法晶体生长中利用非均匀磁场抑制自由面附近流体运动 ,这种局部作用来均匀减弱整体流场的有效性 ,及......
在微重力条件下用浮区结晶法生长半导体单晶硅独具优势,但自由界面的温度梯度所诱发的热毛细对流对晶体质量的影响却更为突出.文中......
采用浮区法生长了质量较好的Si：β-Ga2O3单晶，直径约为8mm，长度约为2cm。进行了x射线粉末衍射和x射线荧光分析，结果表明所得Si：β-Ga2O3......
β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料，本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能，离子掺杂是一种......
自然界的材料绝大多数都是以微晶或多晶形式存在,像天然宝石那样结构完整的大尺寸单晶为数稀少。因而与微晶或多晶物质相比,晶体材......
自史前时期起，人们一直因单晶宝石的美丽而视如珍宝。自然界中的物质绝大多数都是以多晶或微晶的形式存在的，像天然宝石这样大尺寸且......
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶，对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn^4＋和......
本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介......
以La2O3和Fe2O3粉体为原料,在1400℃烧结24 h制备出了LaFeO3多晶料棒,采用浮区法生长出LaFeO3晶体。从晶体开裂、晶体中孔洞、晶体......
作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺......
期刊
以La203和Fe20，粉体为原料，在1400℃，烧结24h制备出了IaFe0，多晶料棒，采用浮区法生长出LaFeO3单晶。晶体沿（100）晶向生长，晶体的（100）晶面单......
浮区法具有无污染生长的优点而成为一种生长高质量、高纯度单晶材料的重要生长技术。微重力环境下,由于重力场的极度微弱,浮力对流......
稀土氧化物晶体作为最重要的光电功能晶体材料之一,无论在人们日常生活中,还是在军事国防等重大领域都发挥着极其重要的作用。其中......
多铁性材料是指具有两种或两种以上铁性序的材料。最为常见的多铁性是指材料中同时具有铁电性和磁有序的材料。电和磁是基本的物理......
浮区法（Floating zone）无坩锅容器接触以避免坩埚污染,是一种重要的高纯度晶体生长技术。微重力环境下,浮区法可以避免重力场的影响,......
采用全浮区模型数值研究旋转磁场作用下不同辐射加热温度时熔区内热毛细对流流动特性。研究发现,B0=1 m T的旋转磁场产生的洛伦兹......
在波数为20dO～4000cm-1的范围内,红外光谱测定法为鉴别天然金绿宝石与合成金绿宝石提供了一种方法。该方法是通过对不同地区的15种......
本文使用目前国际最先进的4椭球反射腔式红外聚焦单晶炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）,通过光浮区法对稀土过渡族氧化物LaCoO3体系进行了晶体......
