【摘 要】
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为了研制硅基发光器件，我们将PbS 溶胶量子点与PMMA光刻胶混合，在硅衬底上用旋涂法制备了表面平整、质地均匀的复合PbS 量子点光刻胶薄膜，用514nm的氩离子激光器泵浦可以实现光致发光，发光波长位于1338nm.我们进一步利用Vistec EBPG 5000+电子束曝光设备和ICP 刻蚀设备，在SOI 衬底上制备了高Q 值的硅基微盘.用旋涂法将PbS 量子点与微盘耦合，用微区光致荧光光谱仪观察
【机 构】
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武汉光电国家实验室(筹),华中科技大学光电子科学与工程学院,430074,武汉 武汉光电国家实验室
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为了研制硅基发光器件，我们将PbS 溶胶量子点与PMMA光刻胶混合，在硅衬底上用旋涂法制备了表面平整、质地均匀的复合PbS 量子点光刻胶薄膜，用514nm的氩离子激光器泵浦可以实现光致发光，发光波长位于1338nm.我们进一步利用Vistec EBPG 5000+电子束曝光设备和ICP 刻蚀设备，在SOI 衬底上制备了高Q 值的硅基微盘.用旋涂法将PbS 量子点与微盘耦合，用微区光致荧光光谱仪观察到明显的谐振现象.
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