【摘 要】
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利用磁控溅射法在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上制备了一层BaO-Nd203-Sm203-Ti02系(简称BNST)薄膜,再对薄膜进行退火处理。X射线衍射仪(XRD)分析表明：经过退火处理的BN
【机 构】
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State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Scien
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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利用磁控溅射法在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上制备了一层BaO-Nd203-Sm203-Ti02系(简称BNST)薄膜,再对薄膜进行退火处理。X射线衍射仪(XRD)分析表明：经过退火处理的BNST薄膜具有良好的结晶效果。采用薄膜电容结构来实现电容的测量,主要研究了BNST薄膜电容的频率特性。LCR和矢量网络分析测试表明：在测试频率为1MHz时,介电系数为58.3.介电损耗tan6小于2％：在1GHz的测试频率下,介电系数为57.5,介电损耗tanδ小于3％。表明制备的BNST薄膜的频率特性稳定,基本满足微波频率下薄膜电容器的使用要求。
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