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该文主要研究TMAH对硅和铝的刻蚀情况。首先，做了不同条件下（浓度从2℅wt到25℅wt）TMAH对硅的腐蚀实验，发现对硅的腐蚀速率随温度升高而增大?随浓度增大而减小；纵向腐蚀与横向腐蚀深度之比可达12：1至20：1；浓度在15℅wt以上时表面平滑。然后，又用多种方法实验了有铝膜覆盖的情况，并做了比较，试图找到对硅和铝的腐蚀选择比较好的条件，验证结果表明用KPR光刻胶作保护的效果较好。