【摘 要】
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Optical studi es of photol uminescence (PL), PL excitation (PLE), tim e-resolved PL (TRPL) and Ram an scattering have been perf ormed on In xGa1-xN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on
【机 构】
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Sun Yat-Sen University, State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies and School
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Optical studi es of photol uminescence (PL), PL excitation (PLE), tim e-resolved PL (TRPL) and Ram an scattering have been perf ormed on In xGa1-xN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on (11(2)2) facet GaN/sapphire templates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
其他文献
通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空间不均匀性.
Ⅲ族氮化物材料包括InN、AlN、GaN及其合金体系,因其优良的物理化学特性,广泛应用于电子器件及光电子器件.其中InAlN三元合金,在In组份接近0.18时可实现与GaN的面内晶格匹配,同时InAlN材料具有宽禁带高折射率的特点,在InAlN/GaN高迁移率晶体管、布拉格反射镜和激光器等领域具有较大优势.
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机制,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机制.
本文主要是通过APSYS模拟分析软件,研究了三种不同In含量的InGaN发光二极管的发光特性及其物理机制.研究中所用器件为1m×1m垂直结构,包含2μm n-GaN(掺杂浓度为5×1018cm-3),5个InxGa1-xN/GaN有源层(三种结构的In含量分别为:x=0.15,0.22,0.30),20nm的p-Al0.2Ga0.8N(p型掺杂浓度为1×1018cm-3)电子阻挡层,0.2μm p
近年来,氮化物半导体InGaN材料以其优越的光伏特性,吸引人们探索其在太阳能电池方面的应用.InN带隙的重新修正,意味着InGaN材料的带隙随In组分的变化可以在3.4eV (GaN)到0.65eV(INN)之间连续可调,其对应的吸收光谱从紫外(365nm)一直延伸到近红外(1900nm),几乎覆盖整个太阳光谱,相比于其它的材料体系,InGaN合金更容易满足多结电池对材料带隙的要求,这给进一步提高
利用氢化物气相外延法(HVPE)生长GaN半导体,通常使用的蓝宝石衬底与GaN晶格失配高达14％,这样会在生长过程中产生很多位错.研究人员提出了许多估算GaN晶体位错密度的方法,目前在半导体研究领域广为接受的是腐蚀法,利用腐蚀坑密度(EPD)来表征晶体的位错密度.
AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.1eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,与高Al组份的AlGaN材料晶格更匹配,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料[1-2],在导弹探测、保密通讯等军事领域,以及医学治疗、污染处理、高密度数据存储、材料加工等民用领域具有重大的应用前景.
作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,大功率LED近年来得到快速发展,但仍然存在散热不畅的瓶颈.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在工作时产生的热量不能够有效地传递到热沉上去,从而导致LED器件工作时的结温急剧升高,不仅降低了器件发光效率,也缩短器件的寿命.
难熔金属以其高熔点、高硬度、高强度等独特的性能得到了广泛的应用。难熔金属主要包括钨、钼、铼、铌、钽、铬、钛、锆、铪等。本文简述了难熔金属钨、钼、铼制品的主要制备方法及其高温机械性能、电热性能。并重点介绍钨、钼、铼制品在MOCVD加热器中的应用以及安泰科技在国产MOCVD设备研制中的工作。
针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.