【摘 要】
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本文研究了SrCO对(Co,Ta)掺杂SnO压敏材料电学性质的影响.当SrCO的含量从0.00增加到2.5mol﹪时,(Co,Ta)掺杂SnO压敏电阻的击穿电压从318V/mm迅速减小到3624V/mm,40Hz时的相对介电常数从1509迅速增加到69,晶粒尺寸从8.19μm减小到1.03μm.随着SrCO含量的增加,SnO的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.掺杂1
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室(济南) 滨州师专物理系(滨州)
【出 处】
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中国电子学会第十三届电子元件学术年会
论文部分内容阅读
本文研究了SrCO<,3>对(Co,Ta)掺杂SnO<,2>压敏材料电学性质的影响.当SrCO<,3>的含量从0.00增加到2.5mol﹪时,(Co,Ta)掺杂SnO<,2>压敏电阻的击穿电压从318V/mm迅速减小到3624V/mm,40Hz时的相对介电常数从1509迅速增加到69,晶粒尺寸从8.19μm减小到1.03μm.随着SrCO<,3>含量的增加,SnO<,2>的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.掺杂1.5mol﹪ SrCO<,3>的样品,压敏电压和非线性系数分别是1738V/mm和23.7;掺杂2.5mol﹪ SrCO<,3>的样品,压敏电压和非线性系数分别是3624V/mm和22.如此高的压敏电压,未见报道.这种压敏材料,在高压和超高压领域具有应用价值.
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