【摘 要】
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本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的SiGe单晶各种性能进行了探讨.结果发现,在磁场作用下,锗杂质的纵向分布均匀性得到了提高;随Ge含量的增大,单晶中氧杂质浓度逐渐下降,机械强度逐渐增强;随Ge的掺入,Si的红外吸收峰出现了在710cm-1及800cm-1波数处的明显新峰.
【机 构】
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信息工程学院 材料学院,河北工业大学,天津,300130
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的SiGe单晶各种性能进行了探讨.结果发现,在磁场作用下,锗杂质的纵向分布均匀性得到了提高;随Ge含量的增大,单晶中氧杂质浓度逐渐下降,机械强度逐渐增强;随Ge的掺入,Si的红外吸收峰出现了在710cm-1及800cm-1波数处的明显新峰.
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