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金纳米颗粒背散射对InAs单量子点荧光强度的影响

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zzcko22

【作 者】

：

苏丹 窦秀明 江德生 丁琨 岳鹏毅 薛永洲 倪海桥 牛智川 孙宝权 

【机 构】

：

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年7期

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