西瓜炭疽病在全世界西瓜产区几乎均有发生,以湿润地区较为普遍.在我国辽宁省西瓜生产上,病害的影响历年均居高不下,其中炭疽病的为害尤为严重.西瓜炭疽病可为害西瓜叶片、茎蔓和果实.叶片染病,形成圆形、椭圆形或不规则的病斑,边缘褐色至黑褐色,中部颜色较浅；茎蔓受害,病斑为长条形或梭形斑,边缘褐色至黑褐色,中部颜色较浅,病斑明显凹陷；果实发病,病斑多为圆形,扩大后凹陷明显.潮湿时叶片正面、茎蔓和果面凹陷病斑表面,均可生出橘黄色黏质小点,后变黑色.从辽宁省新民市、盖州市和彰武县采集西瓜炭疽病标样,常规分离获得病原菌,经形态学鉴定,柯赫氏法则证明,并利用真菌通用引物ITS1/ITS4对供试菌株rDNA-ITS进行PCR扩增,扩增出1条567bp大小的片段.将测序获得的序列上传到NCBI进行BLAST分析,菌株rDNA-ITS序列与GenBank中收录的瓜类炭疽菌(Colletotrichum orbiculare)序列(GenBank登录号：HM989875.1)同源性达到99％.最终确定该病原菌为无性态真菌瓜类炭疽菌C.orbiculare.病菌生物学特性测定结果表明：对于菌丝生长,最适培养基为PSA；最适碳、氮源分别为蔗糖和NH4Cl；菌丝在4～ 35℃均能生长,生长适宜温度为20 ～ 25℃,最适温度为25℃；菌丝在pH值为3～11均能生长,适宜pH值为6～9,最适pH值为6；光照对该菌的菌丝生长影响不显著,黑暗条件略优.对于病菌产孢,最适培养基为西瓜茎叶煎汁培养基,在水琼脂和改良查氏培养基上均不产孢；最适碳、氮源分别为蔗糖和(NH4)2SO4；最适温度为25℃；最适pH值为6；黑暗条件利于孢子产生.对于分生孢子萌发,在4～35℃范围内均可萌发,最适温度为25℃；萌发pH值为3～11,最适pH值为7；最适碳、氮源分别2％蔗糖和2％谷氨酸.菌丝致死温度为55℃,10min；分生孢子致死温度为52℃,10min.