【摘 要】
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本文将Cu2Ta4O12作为一种新型的助烧剂材料,通过普通陶瓷制备工艺,合成了具有低介电损耗、高Qm值的(Na0.5K0.5)NbO3+xmo1％Cu2Ta4O12 无铅压电陶瓷材料体系,并且研究了Cu2Ta4O1
【机 构】
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山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室 山东 济南 250100
【出 处】
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中国电子学会第十五届电子元件学术年会
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本文将Cu2Ta4O12作为一种新型的助烧剂材料,通过普通陶瓷制备工艺,合成了具有低介电损耗、高Qm值的(Na0.5K0.5)NbO3+xmo1％Cu2Ta4O12 无铅压电陶瓷材料体系,并且研究了Cu2Ta4O12掺杂对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷材料的微观结构、介电性质,压电性质等各方面的影响.研究结果发现,Cu2Ta4O12的掺杂有效增加了(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷材料的致密度.在试验掺杂范围内,该体系陶瓷材料均为正交钙钛矿结构,其四方-立方相变温度和正交-四方相变温度随掺杂Cu2Ta4O12比例的增加而降低.Cu2TaO12的掺杂使(Na0.5K)NbO3的压电性质向"硬性"的方向变化,当x=0.75mo1％时,Qm值可达1718,相应的d33,为85pC/N,Kp为0.36,介电损耗为0.36％.
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