【摘 要】
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本文将报道一种1～8.9GHz宽带负反馈放大器的研究结果.该两级放大器利用砷化镓高电子迁移率晶体管制作,PHEMT栅长0.25um、栅宽250um.单电源供电,直流电压+5V,带内增益12.5dB,增益波动小于±1dB,输入输出驻波低于2.4:1.1dB压缩点输出功率可达最高11.3dBm,饱和输出功率最高可达13.5dBm,其3-dB增益带宽已达到0.9～9.1GHz.
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院,成都,610054 中国电子集团第十三研究所,石家庄,050051
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本文将报道一种1～8.9GHz宽带负反馈放大器的研究结果.该两级放大器利用砷化镓高电子迁移率晶体管制作,PHEMT栅长0.25um、栅宽250um.单电源供电,直流电压+5V,带内增益12.5dB,增益波动小于±1dB,输入输出驻波低于2.4:1.1dB压缩点输出功率可达最高11.3dBm,饱和输出功率最高可达13.5dBm,其3-dB增益带宽已达到0.9～9.1GHz.
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