【摘 要】
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用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面出现了六角形蚀坑、壳形蚀坑和蚀坑线,这三种蚀坑分别起因于平行于C-轴的螺旋位错、平行于Si(0001)晶面的滑移位错和由位错列阵组成的相邻晶粒之间的低角度晶界.对六角形蚀坑和壳形蚀坑的形成及其底部位置的不同移动方向进行了解释.
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