【摘 要】
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该论文的主要工作是利用扫描隧道显微镜研究了As终止的GaAs(001)-c(4×4)/2×4衬底的非原位制备技术(As cap deposition/removal),并在此基础上研究了Mn/GaAs的界面结构.利用
【出 处】
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中国科学院研究生院 中国科学院大学
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该论文的主要工作是利用扫描隧道显微镜研究了As终止的GaAs(001)-c(4×4)/2×4衬底的非原位制备技术(As cap deposition/removal),并在此基础上研究了Mn/GaAs的界面结构.利用As cap deposition/removal技术制备了有序的具有原子级平滑形貌的GaAs(001)-c(4×4)/2×4表面.由于在GaAs中有Si的掺杂,所以在2×4的表面存在大量由表面费密能级钉扎导致的扭折,这使得2×4表面存在一定的无序性.台阶和扭折都可以充当表面受主.对于表面由于斜切而出现大量台阶的样品,长时间的退火可以使扭折处的As脱附出去,而由台阶代替扭折充当表面受主,从而可以得到很高质量的(2×4)β相.使用在GaAs衬底上蒸镀Mn并退火的方法,在(2×4)γ相和β相衬底上分别得到了类4×1结构和(2×2)再构这两种新的结构.类4×1结构和(2×2)再构Mn的覆盖度分别为1ML和0.5ML.在(001)表面,不同覆盖度的Mn诱导的结构之所以不一样,原因在于Mn成键构型的多样性和Mn的覆盖度的不同.
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