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过渡金属硫族化合物作为一种典型的二维材料,因其优异的光学、电学和机械等特性被广泛用于超薄电子或微型器件的制备。目前,对过渡金属硫族化合物的性质、制备方法及应用已经有大量的研究,但为能够实现大批量、高质量的可控生长,制备工艺仍在不断的改进中。本论文将主要围绕优化生长条件,生长大面积二硫化钼以及硫化钼钨合金薄膜。1.采用热解柠檬酸的方式制备出石墨烯量子点,对其进行荧光、紫外可见吸收谱、粒径等分析。2.利用单温区气氛管式炉进行生长,将石墨烯量子点溶液稀释成不同浓度,对衬底进行预处理后生长MoS2,实验结果