柔性低电压器件凭借其低能耗,低成本以及可大面积加工等优点已经引起了广泛的关注,存储器用作数据处理和信息存储已经成为电子系统的关键分支,因此柔性低电压有机场效应晶体管的研究对于电子领域的发展有着重要的影响。我们组已经可以在柔性衬底PET上成功实现低电压晶体管的制备。不过不同的介电层对器件电学性能有很大的影响,因此我们在原有组内工作基础之上,对晶体管的介电层材料以及晶体管的结构均作了详细的研究。在制备出性能较好的柔性低电压晶体管之后,我们尝试着在晶体管基础之上增加适当的存储材料来实现低电压存储。通过我们各种探索发现一些存储材料例如金属纳米粒子以及小分子半导体材料均可在低电压下实现正向存储,但很难在反向低电压下实现擦除过程;另一种光稳定剂有机物944在低电压可以实现负向存储,不过维持时间并不是很好。为了能够实现存储性能优越的存储器的制备,我们采用了两种存储材料来制备双浮栅柔性低电压场效应晶体管存储器。我们利用小分子半导体材料C60对电子的捕获作用,再利用另一种材料944对空穴的捕获作用,在擦除过程中944捕获的空穴与电子中和,从而成功地实现了可擦写非易失性闪存低电压存储器。紧接着我们对该存储器的机械稳定性作了一系列的研究,无论垂直沟道弯曲还是垂直沟道弯曲,其电学特性和存储特性均不会发生明显的衰减。