有机薄膜晶体管(organic thin-film transistors,OTFTs)的优点突出,如制备工艺简单、制备材料价格低及与柔性衬底相兼容等,一直以来都是研究的热门方向,其在有源显示、传感及逻辑电路等领域有着十分重要的应用前景。传统的有机薄膜晶体管是水平结构,这种结构的导电沟道长,从而导致驱动电压高、工作电流小。为了解决这些缺点,我们尝试采用垂直结构制备有机薄膜晶体管器件,垂直结构的导电沟道长度极短,从而有效降低的驱动电压,提高器件的工作电流。实验使用光敏性能良好的酞菁锌材料作为有机薄膜晶体管的有源层。根据金属-半导体接触理论,选择功函数与半导体材料相匹配的材料作为晶体管的电极材料。采用真空蒸镀工艺与磁控溅射工艺制备结构为ITO/ZnPc/Al的薄膜二极管和结构为ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu的薄膜晶体管。首先,测量并分析ZnPc有机薄膜二极管特性。在光照时,器件有明显的光伏响应特性,其反向区电流变化非常显著。实验结果表明ZnPc材料改善了光电二极管的性能,提高了填充因子FF和能量转换效率。然后,测量并分析ZnPc有机薄膜晶体管特性。先确认晶体管形成上下两个肖特基接触,之后测量酞菁锌有机薄膜晶体管的电学特性和光学特性。研究ITO和Cu中哪一个更适合做有机薄膜晶体管的发射极。根据实验结果计算出晶体管的放大率β、电流放大系数、光生电流及光电敏感度。实验结果表明酞菁锌有机薄膜晶体管具有非常好的光电转换效率,也具有超高的光电敏感度,当Vec=2V时,光电敏感度就超过2A/W。测量酞菁锌有机薄膜晶体管在不同光照下的输出特性,使用700nm的光照射时电流放大效果最好。同时,测试了实验制备的器件的经时特性变化,在器件无封装条件下,在六天内有一定稳定性。