【摘 要】
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由于物联网、5G通信等先进技术的高速发展,无线通讯终端数目迅速增多,极大地增加了阻塞的风险。如果接收机的抗阻塞性能较差,发生了信号阻塞,那么电路的性能就会严重恶化。因此,提高接收机的抗阻塞性能,具有非常重要的意义。论文基于22nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为2.4～5.3GHz的抗阻塞下变频混频器电路,主要由无源开关对、四相本振信号生成电路、基带电容和基带放大电路四个模块组成。由于无源开关
【基金项目】
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国家重点研发计划课题（课题名称:数字化射频收发机关键技术,课题编号:2019YFB2204602）
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由于物联网、5G通信等先进技术的高速发展,无线通讯终端数目迅速增多,极大地增加了阻塞的风险。如果接收机的抗阻塞性能较差,发生了信号阻塞,那么电路的性能就会严重恶化。因此,提高接收机的抗阻塞性能,具有非常重要的意义。论文基于22nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为2.4～5.3GHz的抗阻塞下变频混频器电路,主要由无源开关对、四相本振信号生成电路、基带电容和基带放大电路四个模块组成。由于无源开关对有变频损耗,因此使用了基带放大电路对基带信号进行放大,从而提供一定的增益。通过四相本振信号生成电路产生了占空比为25%的四相非交叠方波本振信号,提高了下变频混频器的性能。基带电容配合无源开关对构成了阻抗转移网络,从而实现阻抗搬移的功能。论文给出了电路设计、前仿真、版图设计和后仿真。后仿真结果表明:在1V电源电压下,在2.4～5.3GHz工作频率内,基带带宽大于51MHz,电压转换增益大于9.2d B,双边带噪声系数小于8.9d B,带内输入1d B压缩点大于-8.5d Bm,频偏400MHz处阻塞信号抑制比大于8.3d B,工作电流小于6.5m A。本文设计的2.4～5.3GHz抗阻塞下变频混频器电路具有较高的增益,较低的噪声,较好的抗阻塞性能。经流片验证后,可以应用于宽带收发系统芯片中。
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