二氧化硅工艺在半导体制造工艺中有着举足轻重的作用。晶圆在工艺进行前需要在表面生成一层氧化层作为衬底和缓冲层，来满足后续工艺的要求，而在工艺过程中二氧化硅又是工作器件的栅极氧化层，作为器件的导通和截止阀。因此一旦在二氧化硅的工艺过程中有颗粒污染产生，必将导致产品的报废。传统的生产工艺仅通过例性维护来控制颗粒污染的影响，并没有从根本上解决问题。本课题主要针对目前炉管工艺中的常压二氧化硅立式炉，研究晶舟和气体管路在工艺过程中对颗粒污染的影响。并对工艺程式进行分析，确定颗粒污染产生的阶段，以及腔内温度，控温速率，气体流量，晶舟载入速度对颗粒污染的影响。针对分析结果，制定相应的实验进行验证，从而进一步解决颗粒污染的问题。本课题在大量的分析结果和实验数据的验证下，最后创新的提出使用3个支柱点的晶舟，修改工艺程式中腔内温度，控温速率，气体流量，晶舟载入速度的设定，有效降低晶圆在载入过程中的抖动，减少颗粒污染产生，以及在晶舟载入之前打开保护气体NS管路中的N2，有效去除管路中的颗粒污染物。这个方案有效的解决了常压二氧化硅工艺中的颗粒污染问题，不仅提高机台的利用率，使颗粒污染大大减少，从而提高了晶圆的良率，减少了生产成本，制造工艺的技术也得到改进和优化。