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对晶体生长过程传输现象的数值分析已成为一个重要的传热传质研究领域.该文的主要研究内容和结果如下:该研究把坩埚加速旋转技术,首次用于Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体的垂直Bridgman法生长.对晶体缺陷、组分均匀性及电学性能进行了实验测试和分析.结果表明:用ACRT-VBM生长的Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体的主要缺陷是位错亚结构以及Te夹杂.ACRT强迫对流使Bridgman晶锭中的大块Te夹杂变为网络状,体积分数减小,较高温度梯度下运用ACRT可以生长出无Te夹杂的晶体.对Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体的VBM生长过程进行非稳态数值计算.重点分析了温度场与溶质场耦合导致的生长界面位置、深度、生长速度和组分径向偏析的非稳态过程,研究了温度梯度和拉晶速度的影响.对Cd<,1-x>Zn<,x>Te、Hg<,1-x>Cd<,x>Te晶体的ACRT-VBM生长过程进行了非稳态数值计算.重点分析了坩埚旋转产生的强迫对流对熔体/晶体界面位置和形状、溶质再分配、组分径向偏析的影响;研究了ACRT导致的物理量波动现象;进行了坩埚加速旋转波形的优选.ACRT对流导致埚壁中轴线附近浓度增大,近坩埚壁区域浓度减小.轴向浓度分布呈现出三个明显不同的区域,即近界面的线性浓度分布区、中间的均匀混合区和熔体顶部扩散控制区.它们分别与近界面对流胞、中部对流胞和熔体顶部未受对流影响区域有大致相同的轴向尺度.与传统Bridgman法相比,在生长参数不变的条件下,ACRT的运用会失去部分轴向组分均匀区;在保证结晶质量及径向组分均匀性的前提下,适当提高拉晶速度,选择尽可能小的坩埚最大转速ω<,max>及更大长径比的坩埚,是改善ACRT-VBM晶锭轴向组分均匀性的有效而可行的途径.ACRT-VBM晶体生长过程坩埚旋转参数的选择原则是,在能满足组分均匀性要求的条件下,选择界面深度尽可能小的坩埚加速旋转形.较理想的坩埚加速旋转波形是由加速段、减速段和停止段组成的,含坩埚反射旋转的间断三角波,对于半径为0.75cm的CdZnTe晶锭,其周期为24s,坩埚最大转速ω<,max>介于30rpm和50rpm之间,对于半径为0.6cm的HgCdTe、HgMnTe晶锭,其周期为36s,坩埚最大转速ω<,max>约为45rpm.