PECVD技术制备光学薄膜损伤特性研究

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光学薄膜几乎应用在所有光学系统中,由于它在高功率激光系统容易受到强激光损伤,因而引起了相关研究者对光学薄膜激光损伤特性的密切关注。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可在低温下制备光学薄膜,且易实现渐变折射率薄膜的沉积。研究其制备光学薄膜激光损伤变化规律,对于提高光学薄膜激光损伤阈值有着重要意义。本文研究了PECVD技术制备光学薄膜损伤特性。采用PECVD技术在BK7玻璃基底上分别制备了不同厚度的单层SiOxFy、SiO2、SiOxNy、SiNx光学薄膜,仿真模拟了上述4种光学薄膜样片在不同厚度下的电场强度分布,测试分析了薄膜的激光损伤阈值和损伤形貌,建立了光学薄膜厚度、折射率、制备工艺参数、电场强度分布与薄膜激光损伤特性之间的关系,设计并优化了波长范围在350-3000nm的1064nm陷波滤光片,并采用规整膜系和混合渐变膜系完成了滤光片制备,讨论了其抗激光损伤特性与膜系之间的关系,探讨了PECVD技术制备光学薄膜的制造误差,完成了滤光片的环境试验。主要结论有:1)低折射率SiOxFy和Si02薄膜的激光损伤阈值随薄膜厚度变化不明显,中间折射率SiOxNy和高折射率SiNx薄膜的激光损伤阈值随薄膜厚度的增加有明显减小趋势;2)电场强度分布对SiOxFy、SiOxNy、SiNx光学薄膜激光损伤阈值影响较为明显。Si02薄膜的电场强度变化对激光损伤阈值影响较小;3)在选定的制备工艺参数范围内,沉积温度对SiOxFy、SiOxNy薄膜材料激光损伤阈值影响最大,射频功率与工作压强影响较小。射频功率对高折射率SiNx薄膜材料激光损伤阈值影响最大,沉积温度与工作压强影响较小;4)设计的1064nm陷波滤光片两侧通带平均透过率T≥92%,1064nm处反射率R≥95%。实测光谱曲线与设计曲线基本一致,规整膜系和混合渐变膜系对应的滤光片激光损伤阈值分别为10.9J/cm2和12.8J/cm2(波长1064nm,脉宽10ns)。5)滤光片表现出较好的环境适应性和稳定性。
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