过渡金属硫族化合物是一类具有特殊量子性质的材料,在近年来逐渐引起了大量的关注和广泛的研究。由VIA族与VIB族元素所构成的这一类材料通常具有分别为半导体型和半金属型的两种常温稳定的同素异构体。另一方面,这类材料的晶体是以较弱的范德华力相结合的层状结构所构成的,这使它们可以通过机械剥离方法解理为仅有几纳米厚的样品;随着材料的减薄,其能带结构和电输运性质等都可能产生很大的变化,从而展现出的广阔应用前景。二碲化钼（MoTe₂）是过渡金属硫族化合物中的一种。对半金属型二碲化钼（MoTe₂）的能带分析指出,它具有非直接交叠的导带和价带,是一种潜在的第二类外尔半金属。在迄今的实验观察中,半金属型二碲化钼已展示出多种奇异性质,如超导性、巨磁阻性等。本文通过改进的机械剥离方法得到了最薄可以到大约5nm的半金属性二碲化钼样品,并通过电子束曝光等微纳加工工艺制备器件,对薄膜半金属性MoTe₂的低温输运性质进行了实验研究。对于体材料的样品,与以往的研究结果一致,我们观察到了250K附近从1T’-相到Td-相的相变回滞;但是在减薄到数十纳米厚的样品的中,我们没有观察到类似相转变。在减薄到仅有几纳米厚的样品中,我们观察到了低温下电阻随温度按ln（T）增加的现象,并在磁阻测量中观察到明显的反弱局域行为。我们还研究了半金属性二碲化钼的超导性。在体材料样品中,我们发现样品的超导上临界温度比文献中所报道的有了一定提高,我们猜测这种临界温度的变化与样品质量的不同有关。在数十纳米厚的样品中,测量得到的样品的超导临界温度比体样品有了很大的降低,这证明机械剥离的减薄过程会减弱样品的超导性。在仅有几纳米厚的极薄样品中,不再能观察到样品的超导性。综上,我们对半金属性二碲化钼的低温输运性质进行了研究,并对这些结果进行了细致的分析。通过这些研究,我们不但增进了对半金属性二碲化钼的理解,而且为进一步理解此类化合物的性质打下了重要的基础。